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天津三安光电成功开发出Micro LED芯片

2020-12-15    

中国照明网报道

8132

导语: 12月11日,天津市人民政府官网发布公告称,天津三安光电有限公司联合天津工业大学共同开展了RGB三色Micro LED芯片开发及微显示阵列关键技术研究,突破Micro LED外延结构设计及材料生长、高良率巨量转移等技术,成功开发了RGB三色Micro LED芯片。

  12月11日,天津市人民政府官网发布公告称,天津三安光电有限公司联合天津工业大学共同开展了RGB三色Micro LED芯片开发及微显示阵列关键技术研究,突破Micro LED外延结构设计及材料生长、高良率巨量转移等技术,成功开发了RGB三色Micro LED芯片。

  据悉,该芯片红光、绿光、蓝光外量子效率达到较高水平,转移良率达99.9%以上,产品已申请发明专利4项,实用新型专利2项。

编辑:严志祥

来源:天津市人民政府

标签:天津  三安光电  Micro  LED  芯片  

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